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微波PECVD是一種使用微波等離子體來制備薄膜的方法。在微波過程中，通過微波激勵在等離子體氣氛中生成活性離子和激發(fā)態(tài)粒子，這些粒子以高能量撞擊到表面，從而促使反應物發(fā)生化學反應并形成薄膜。與傳統(tǒng)PECVD方法相比，具有許多優(yōu)點。首先，可以在相對寬廣的壓力范圍內進行薄膜生長。其次，可以在低功率下生長高質量薄膜。更重要的是，可以在低溫下生長薄膜，是一種非常適合于材料生長的方法。通過使用微波場使振蕩的分子激發(fā)成等離子體狀態(tài)。等離子體狀態(tài)的氣體分子具有活性，可出現(xiàn)分子分解或發(fā)生化學反...

PEALD系統(tǒng)是一種化學氣相沉積技術，廣泛應用于微電子設備制造、太陽能電池和納米材料研究等領域。以原子層沉積技術為基礎，通過在反應室中交替注入兩種氣體，執(zhí)行反應和清洗過程，實現(xiàn)對表面沉積物的逐層生長。PEALD系統(tǒng)的組成由四個主要部分構成：反應室、進氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)。其中反應室是最重要的組成部分，用于承載沉積表面和反應氣體。反應室具有良好的密封性能，以確保反應氣體能夠準確傳遞到沉積表面。反應室內部的沉積表面是由基板表面形成的，在表面形成的沉積物層上進行PEALD沉積...

掩模板清洗機是一款帶有小占地面積的理想設備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學試劑混合能力，提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。掩模板清洗機應用：1.帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片2.Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗3.CMP處理后的晶圓片...

原子層沉積設備是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。原子層沉積設備的特點1、傳輸管路的優(yōu)化設計，有效地避免管路堵塞及交叉污染問題2、工業(yè)化級別標...

進口晶圓清洗機采用旋轉噴淋技術實現(xiàn)清洗功能，清洗方法是利用所噴液體的溶解作用來溶解硅片表面的污漬，同時利用高速旋轉的離心作用，使溶有雜質的液體及時脫離硅片表面。同時由于所噴液體與旋轉的硅片有較高的相對速度，會產(chǎn)生較大的沖擊力，實現(xiàn)清除吸附雜質。清洗完成后采用惰性氣體直接干燥，完成對硅片的清洗。進口晶圓清洗機的應用：1、帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片2、Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗3、CMP處理后的晶圓片清洗4、晶圓框架上的切粒芯片清洗5、等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗...

空間環(huán)境模擬試驗設備腔體的大致尺寸為：直徑24"，長度43"。帶有一個16"x32"的滑動加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個平臺的溫度均勻度可達/-1攝氏度。加熱平臺安裝在滾軸上，可以方便拉出至大到75%的長度，腔體提供20個RF連接頭，尺寸為2.92mm，可以支持高達40GHz的頻率。腔體的兩側分別有一個50針的引線。真空系統(tǒng)包含HiPace1200（1000L/s抽速）渦輪分子泵以及一個ISP500...

RIE刻蝕機是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radiofrequency）時會產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ionsheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學反應蝕刻，此即為RIE（ReactiveIonEtching）。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面，經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞，而直接向試樣撞擊。為達到此目的，必須對真空度，氣體流量，離子加速電壓等進行最佳調整，同時，為得到高密度的等離子體，需用...

Nano-Master的遠程微波等離子體化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)應用范圍廣泛，包含：基片或粉體的等離子誘導表面改性等離子清洗粉體或顆粒表面等離子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的選擇性生長單晶或多晶金剛石生長微波模塊：NANO-MASTER高質量長壽命遠程微波源，頻率為2.45GH，微波發(fā)射功率可以自主調節(jié)，微波反射功率可通過調節(jié)降低至發(fā)射功率的千分之一以內。遠程微波源，可實現(xiàn)無損傷缺陷的沉積或生長。設備腔體：水冷側壁，確保在高溫工藝下腔體外表面...