晶圓清洗機主要結(jié)構(gòu)特點及工藝流程

更新時間：2016-06-17

瀏覽次數(shù)：4749

一．產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

晶圓清洗機主要結(jié)構(gòu)特點：

1、采用三套獨立的電腦控制機械臂自動化作業(yè)

2、采用第三代技術(shù)，全面完善的防酸防腐措施，保護到機器每一個角落

3、全自動補液技術(shù)

4、*的硅片干燥前處理技術(shù)，保證硅片干燥不留任何水痕

5、成熟的硅片干燥工藝，多種先進技術(shù)集于一身

6、彩色大屏幕人機界面操作，方便參數(shù)設(shè)置多工藝方式轉(zhuǎn)換

二．產(chǎn)品特點

晶圓清洗機具有以下特點：

1、械手或多機械手組合，實現(xiàn)工位工藝要求。

2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。

3、自動上下料臺，準確上卸工件。

4、凈化烘干槽，*的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無水漬。

5、全封閉外殼與抽風系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

6、具備拋動清洗功能，保證清洗均勻。

7、全封閉清洗均勻。

8、全封閉外殼與抽風系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

三、晶圓清洗機工藝流程

自動上料→去離子水+超聲波清洗+振動篩拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→自動下料

四、晶圓清洗機應(yīng)用范圍

1、爐前清洗：擴散前清洗。

2、光刻后清洗：除去光刻膠。

3、氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。

4、拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。

5、外延前清洗：除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。

6、合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質(zhì)及光膠殘渣。

7、離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。

8、擴散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時的BSG和PSG。

9、CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。

10、附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物

返回列表