ICP刻蝕機(jī)是基于真空中的高頻激勵(lì)而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來(lái)從而獲得化學(xué)活性微粒與被刻蝕材料起化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進(jìn)行刻蝕的。同時(shí)為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。ICP刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能電池片周邊的P—N結(jié)進(jìn)行刻蝕，使太陽(yáng)能電池片周邊呈開(kāi)路狀態(tài)。也可用于半導(dǎo)體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

 

    刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來(lái)衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒(méi)有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來(lái)衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來(lái)衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

 

    反應(yīng)離子刻蝕是以物理濺射為主并兼有化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程。通過(guò)物理濺射實(shí)現(xiàn)縱向刻蝕，同時(shí)應(yīng)用化學(xué)反應(yīng)來(lái)達(dá)到所要求的選擇比，從而很好地控制了保真度。

 

    而隨著手機(jī)行業(yè)的發(fā)展，OLED的崛起，觸摸屏行業(yè)的激光刻蝕設(shè)備逐漸呈現(xiàn)飽和趨勢(shì)，RIE刻蝕機(jī)廠家也隨之加大對(duì)材料應(yīng)用的研發(fā)投入和應(yīng)用方向的投入，太陽(yáng)能、光伏行業(yè)將會(huì)成為激光刻蝕機(jī)下一個(gè)重要發(fā)展領(lǐng)域。

 

    ICP刻蝕機(jī)為了適應(yīng)工藝發(fā)展需求，各家設(shè)備廠商都推出了一系列的關(guān)鍵技術(shù)來(lái)滿足工藝需求。主要有以下幾類(lèi)；

 

    1、等離子體技術(shù)：等離子體密度和能量單獨(dú)控制。

 

    2、等離子體約束：減少Particle，提高結(jié)果重復(fù)性。

 

    3、工藝組件：適應(yīng)不同工藝需求，對(duì)應(yīng)不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同。

 

    4、雙區(qū)進(jìn)氣的目的是通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)外區(qū)敏感氣體的量提高整個(gè)刻蝕均一性，結(jié)果比較明顯。

 

    5、反應(yīng)室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；由200mm時(shí)的側(cè)抽，改為下抽或者側(cè)下抽。有利于提高氣流均一性。

 

    6、窄的Gap設(shè)計(jì)可以使得電子穿過(guò)殼層，中和晶圓上多余的離子，有利于提高刻蝕剖面陡直度。

 

    在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過(guò)程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。等離子刻蝕機(jī)是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開(kāi)發(fā)的精細(xì)加工技術(shù)，它具有各向異性特點(diǎn)，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節(jié)介紹的硅刻蝕機(jī)就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。它被廣泛應(yīng)用在微處理器（CPU）、存儲(chǔ)（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。

 

    在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過(guò)程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機(jī)是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開(kāi)發(fā)的精細(xì)加工技術(shù)，它具有各向異性特點(diǎn)，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的ICP刻蝕機(jī)就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。

 

    等離子刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能電池片周邊的P—N結(jié)進(jìn)行刻蝕，使太陽(yáng)能電池片周邊呈開(kāi)路狀態(tài)。也可用于半導(dǎo)體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

 

    等離子刻蝕機(jī)主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來(lái)衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒(méi)有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來(lái)衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來(lái)衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

 

    等離子刻蝕機(jī)是以物理濺射為主并兼有化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程。通過(guò)物理濺射實(shí)現(xiàn)縱向刻蝕，同時(shí)應(yīng)用化學(xué)反應(yīng)來(lái)達(dá)到所要求的選擇比，從而很好地控制了保真度。

 

    刻蝕機(jī)是基于真空中的高頻激勵(lì)而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來(lái)從而獲得化學(xué)活性微粒與被刻蝕材料起化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進(jìn)行刻蝕的。同時(shí)為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。

 

    刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能電池片周邊的P—N結(jié)進(jìn)行刻蝕，使太陽(yáng)能電池片周邊呈開(kāi)路狀態(tài)。也可用于半導(dǎo)體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

 

    在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過(guò)程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。刻蝕機(jī)是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開(kāi)發(fā)的精細(xì)加工技術(shù)，它具有各向異性特點(diǎn)，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的刻蝕機(jī)就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。

 

    1、等離子刻蝕機(jī)為了適應(yīng)工藝發(fā)展需求，各家設(shè)備廠商都推出了一系列的關(guān)鍵技術(shù)來(lái)滿足工藝需求。主要有以下幾類(lèi)；

 

    2、等離子體技術(shù)：等離子體密度和能量單獨(dú)控制。

 

    3、等離子體約束：減少Particle，提高結(jié)果重復(fù)性。

 

    4、工藝組件：適應(yīng)不同工藝需求，對(duì)應(yīng)不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同。

 

    5、雙區(qū)進(jìn)氣的目的是通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)外區(qū)敏感氣體的量提高整個(gè)刻蝕均一性，結(jié)果比較明顯。

 

    6、反應(yīng)室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；由200mm時(shí)的側(cè)抽，改為下抽或者側(cè)下抽。有利于提高氣流均一性。

 

    5、窄的Gap設(shè)計(jì)可以使得電子穿過(guò)殼層，中和晶圓上多余的離子，有利于提高刻蝕剖面陡直度。